ОСНОВНОЕ НАПРАВЛЕНИЕ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ:

Разработка и изготовление мощных полупроводниковых лазеров, излучающих в диапазоне длин волн 800 - 2200 нм .    

Виды изготавливаемых полупроводниковых лазеров:

Диапазон длин волн:     1000 – 2000 нм

Излучаемая рабочая мощность:  до 200 мВт

Типы корпусов:

ТО-18 (5,6 мм),

SOT-148 (9 мм), открытый теплоотвод

Диапазон длин волн: 900 – 2000 нм

Непрерывная излучаемая рабочая мощность:   до 5 Вт

Импульсная излучаемая рабочая мощность:

до 1000 Вт при τ=100нс, до 10 Вт при τ=100пс

Типы корпусов: HHL, ТО-3, открытый теплоотвод

ОСНОВНЫЕ ПРЕИМУЩЕСТВА:

30-летний опыт команды в разработке и изготовлении полупроводниковых лазеров

Наличие полного цикла по изготовлению полупроводниковых лазеров от эпитаксиального роста гетероструктур до готовых приборов

Гибкость производственного процесса – возможность разработки и изготовления лазерных диодов с требуемыми параметрами


ОСНОВНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ:

-МЕТРОЛОГИЯ (локация, контроль волокна, дальнометрия)

-ТЕЛЕКОММУНИКАЦИИ 

-МЕДИЦИНА

-НАКАЧКА ВОЛОКОННЫХ И ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ЛАЗЕРОВ


ОБОРУДОВАНИЕ:

Установка МОС-гидридной эпитаксии EMCORE GS/3100

Полный пост-ростовой комплекс изготовления лазерных гетероструктур, включающий:

Фотолитография

Химическое и плазмохимическое травление (установка “ALCATEL”)

Напыление диэлектрических покрытий

Напыление омических контактов

Установки монтажа и корпусирования лазерных диодов

Характеризация и тестирование лазерных диодов

Деградационные стенды